需求类型：其他  
1）结合12英寸450kg级投料量堆叠式N型半导体单晶炉结构，基于介观方法优化计算磁场结构对硅熔体对流及氧、碳等杂质输运的影响分析，设计合理的磁场外形结构；2）在磁场位形上该超导磁体需要形成Cusp场形，场形分布可根据需求进行调整； 3）中心直径800mm圆环内水平磁场强度不小于2000Gauss；4）磁体的励磁时间不超过30min；5）磁体系统的漏场分布距离磁体中心2.5m处的磁场小于100Gauss。